截至2025年7月2日 14:47，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)（931743）下跌1.99%。成分股方面，中科飛測(cè)領(lǐng)跌5.84%，中晶科技下跌4.79%，華海誠(chéng)科下跌4.45%，聯(lián)動(dòng)科技下跌4.28%，康強(qiáng)電子下跌4.13%。半導(dǎo)體材料ETF（562590）下跌1.97%，最新報(bào)價(jià)1.1元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至2025年7月1日，半導(dǎo)體材料ETF近1周累計(jì)上漲2.66%，漲幅排名可比基金首位。

消息方面，據(jù)CFM閃存市場(chǎng)發(fā)布最新報(bào)告顯示，2025年年初至今，NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲9.2%，DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲47.7%。其中，6月NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲0.8%，DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)上漲19.5%。以DDR4/LPDDR4X為代表的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品，從2024年下半年供應(yīng)過(guò)剩到2025年上半年供不應(yīng)求的劇烈反轉(zhuǎn)，對(duì)服務(wù)器和消費(fèi)類(lèi)終端造成較大沖擊。在AI驅(qū)動(dòng)的內(nèi)存升級(jí)浪潮、原廠保利潤(rùn)的供應(yīng)策略與下游長(zhǎng)尾剛性需求的疊加作用下，傳統(tǒng)通用型DRAM和服務(wù)器高價(jià)值DRAM量?jī)r(jià)齊升雙重驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)將推動(dòng)2025年DRAM市場(chǎng)創(chuàng)下歷史新高。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，該指數(shù)精選40只業(yè)務(wù)深度覆蓋半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的上市公司證券作為樣本。指數(shù)成分股中匯聚了多家在國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中表現(xiàn)突出的龍頭企業(yè)——例如在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破的北方華創(chuàng)、中微公司，以及在硅片、電子化學(xué)品等關(guān)鍵材料環(huán)節(jié)打破海外壟斷的滬硅產(chǎn)業(yè)、南大光電等，樣本股的篩選既聚焦行業(yè)核心賽道，充分體現(xiàn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化升級(jí)的發(fā)展趨勢(shì)，反映半導(dǎo)體材料和設(shè)備上市公司證券的整體表現(xiàn)。

半導(dǎo)體材料ETF（562590），場(chǎng)外聯(lián)接（華夏中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題ETF發(fā)起式聯(lián)接A：020356；華夏中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題ETF發(fā)起式聯(lián)接C：020357）。